閃存芯片推動了存儲革命，并且由于需求量巨大而面臨最近短缺的局面。NAND存儲技術的進步展現了一個美好的未來。
NAND閃存技術在過去一年中一直處于重大轉折。閃存是一個極其復雜的物理性能平衡技術，在生產過程中，將面臨數據的完整性要求和寫耐久性問題。簡而言之，原始的閃存方式（稱為2DNAND）正在耗盡空間，無法通過縮小體積功能來增加每個模塊的容量。
引入3DNAND的概念，其中閃存單元在第三維中堆疊。每片芯片的容量增加了48倍，可以用相對較少的努力實現，而這種內存單元的增加可以降低成本，甚至可能在大批量生產中降代4倍的成本。閃存容量增加和價格下降率的差異源于這樣一個事實，即3DNAND在模具上每個單元芯片的許多生產工藝仍然與以前一樣。
更多的計劃
事實證明，根據NAND閃存芯片制造商的計劃，這些問題并沒有解決。首要問題是易失性的問題。保持所有這些層的垂直排列證明是非常具有挑戰性的。
對于48個單元層的堆棧，垂直堆疊的允許公差約為1度，并且隨著層數的增加而變差。這引起了對3DNAND整體概念的反思。
芯片制造商已經遷移到一種在芯片上創建多個48層或64層堆疊塊的方法，將這些堆疊塊放置在其他的頂部，但使用更大尺寸的垂直互連訪問來連接堆棧塊。這允許對堆疊層的垂直對準具有更大的容限。
最終的結果是，過去幾個月人們已經公布了64GB的芯片和1TB的芯片，反映了這兩種方法。1TB的芯片單元可能會進一步堆疊，單芯片的4TB甚至8TB可能在一年之后推出。使用這些設備，100TB2.5英寸SSD硬盤在2018年9月閃存峰會發布推出看起來是非常可能的。
技術方法的調整問題和變化對市場產生了重大的影響。3DNAND的轉換比計劃的時間更長，這將導致工廠不斷采用新流程。
面臨其他問題
對齊不是阻礙3DNAND技術進步的唯一問題。顯然，三層堆疊單元（TLC）閃存是NAND閃存容量具有吸引力的亮點，是每個單元原始容量的3倍。
NAND器件隨著時間的推移具有準靜態特性，結果是可以在電池中檢測到的電壓電平的分離收縮，使電池的狀態電壓彼此接近。這增加了誤讀率，并且在三層堆疊單元（TLC）中更明顯，與原始單級單元閃存中的兩個狀態相比，具有八個不同的狀態。
對于這個問題需要一些措施應對，其中包括隨時間重置閾值，擴展錯誤檢測/糾正代碼，并添加具有閾值和時序調整的非常復雜的重試過程。這將包括大量的科學和數學的方法，接下來是經濟可行性，而這項工作的積極成果主要是提高模具的產量和書寫耐久性。
即使如此，人們也將看到SSD的家族方法，對具有基本相同結構的家族成員將通過讀/寫速度，寫耐久性和溫度范圍來區分。例如其，范圍也將是重要的，例如從最小到最大的日常驅動器寫入速度。
處理延遲的結果是閃存芯片可用性的降低，因為NAND閃存晶圓廠停產以實現轉型。這在2016年下半年市場尤為激烈，SSD硬盤價格上漲了10％，而且一直持續。由于認識到企業硬盤正在成為一個過時的概念，SSD硬盤的需求急劇增加，使這個問題更加復雜化。
三星的失敗、召回和試圖更換，為Galaxy Note進一步增加了壓力，這將讓市場上至少缺口1億塊芯片。
救援將至
2017年下半年將帶來新的希望。堆疊式64層芯片的技術問題已經解決，而到2017年年中，單片堆棧的芯片將陸續出貨。額外的晶圓廠容量將從動態RAM和NOR閃存晶圓廠重新使用3DNAND，以及新的晶圓廠容量。到2017年年底，價格應該回到以前的水平；在2018年，人們應該看到SSD與HDD的價格將越來越接近。
值得一提的是這對HDD硬盤市場的意義。面對2015年和2016年的市場需求下降，HDD硬盤產能大幅下滑，因此硬盤錄像機的市場份額也并不好。此外，需要的大容量HDD硬盤也不太適合初級存儲使用，這是寫入技術相對較慢的寫入技術產品，特別是寫入時，不適合操作系統，其在個人電腦和服務器的使用將會越來越少。
從2018年開始，業界期待著一個全新的未來，30TB到100TB散裝硬盤驅動器是二次存儲的最佳選擇。
人們對于使用四級單元（QLC）NAND閃存進行存儲有一些爭論，而不是即將到來的無處不在的TLC。基于對TLC的物理和數據動態的所有研究投入，將具有16種可能的單元狀態的相同的思想應用于QLC，似乎是一個合乎邏輯的后續行動，并會進一步的降低成本，并增加容量。
無處不在，快速存儲技術的出現將深刻地改變IT。服務器的處理能力將會越來越強，從而減少了服務器的銷售，例如，擁有1000萬或更多IOPS的硬盤驅動器將會徹底改變超融合產品的市場格局。
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